Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 66 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
911-0780
Herst. Teile-Nr.:
BSC123N08NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

66W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Länge

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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