X2-Class IXTH80N65X2 N-Kanal MOSFET, 650 V / 80 A, 890 W, TO-247 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 917-1435
  • Herst. Teile-Nr. IXTH80N65X2
  • Marke IXYS
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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS

Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Intrinsic-Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 80 A
Drain-Source-Spannung max. 650 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 38 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 5V
Gate-Schwellenspannung min. 2.7V
Verlustleistung max. 890 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Länge 16.13mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 137 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung 1.4V
Breite 21.34mm
Höhe 5.21mm
Serie X2-Class
Betriebstemperatur max. +150 °C
Voraussichtlich ab 12.02.2021 verfügbar.
Preis pro: Stück
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