Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,15 A 730 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 919-0278
Herst. Teile-Nr.:: SI2328DS-T1-E3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,15 A 730 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 919-0278
Herst. Teile-Nr.:: SI2328DS-T1-E3
Marke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,15 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	250 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	730 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3,3 nC @ 10 V
Länge	3.04mm
Höhe	1.02mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,15 A 730 mW, 3-Pin SOT-23

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N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor

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