Vishay SI4435DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,1 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 919-0288
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4435DDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 8,1 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 24 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 5mm |
| Breite | 4mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC bei 4,5 V, 32 nC bei 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 1.5mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 919-0288
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4435DDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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