Vishay SI4435DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,1 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 710-3339
Herst. Teile-Nr.:: SI4435DDY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI4435DDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,1 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,572 €	5,72 €
100 - 490	0,543 €	5,43 €
500 - 990	0,457 €	4,57 €
1000 - 2490	0,43 €	4,30 €
2500 +	0,40 €	4,00 €

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RS Best.-Nr.:: 710-3339
Herst. Teile-Nr.:: SI4435DDY-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	8,1 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	24 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC bei 4,5 V, 32 nC bei 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	5mm
Breite	4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C