Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 200 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4915
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5210PBF
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
76,80 €
(ohne MwSt.)
91,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
- Versand ab 18. Dezember 2026
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,536 € | 76,80 € |
| 100 - 200 | 1,306 € | 65,30 € |
| 250 + | 1,152 € | 57,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4915
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5210PBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.54mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.54mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 40A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF5210PBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Bauteil?
Wie wirkt sich der niedrige Durchlasswiderstand auf die Leistung der Schaltung aus?
Eignet sich dies für Anwendungen in Automobilsystemen?
In welche Art von Schaltungskonfigurationen kann es integriert werden?
Wie sollte es installiert werden, um eine optimale Leistung zu gewährleisten?
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
