Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 1.25A, 1008 (2520M) Gehäuse 2.5mm / ±20%, 40MHz

RS Best.-Nr.:: 798-1969
Herst. Teile-Nr.:: 74479787247
Marke:: Wurth Elektronik

Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 1.25A, 1008 (2520M) Gehäuse 2.5mm / ±20%, 40MHz

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Herst. Teile-Nr.:: 74479787247
Marke:: Wurth Elektronik

Inductor WE-PMI SMD 1008 4.7uH 1250mA Data Sheet
WE eiSos Embedded Flyer

Eigenschaft	Wert
Induktivität	4,7 μH
Gleichstrom max.	1.25A
Gehäuse-Form	1008 (2520M)
Länge	2.5mm
Tiefe	2mm
Höhe	1mm
Abmessungen	2.5 x 2 x 1mm
Geschirmt	Nein
Toleranz	±20%
Gleichstromwiderstand max.	110mΩ
Serie	WE-PMI
Resonanzfrequenz max.	40MHz
Induktivitätsbauweise	Mehrlagig
Betriebstemperatur max.	+125°C
Betriebstemperatur min.	-40°C

Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 1.25A, 1008 (2520M) Gehäuse 2.5mm / ±20%, 40MHz

1008-Multilayer-Induktivitäten der Serie Würth WE-PMI

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