STMicroelectronics Leistungs-MOSFET 18.5 mΩ 7-Pin HU3PAK

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RS Best.-Nr.:
330-557
Herst. Teile-Nr.:
SCT020HU120G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Einschaltwiderstand RdsOn

18.5mΩ

Nennleistung

555W

Gehäusegröße

HU3PAK

Minimale Versorgungsspannung

-10V

Maximale Versorgungsspannung

1200V

Pinanzahl

7

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Betriebsstrom

112A

Betriebstemperatur min.

-55°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über einen weiten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen Kapazitäten und hoher Schaltfähigkeit. Diese Eigenschaften verbessern die Anwendungsleistung, indem sie die Frequenz und die Energieeffizienz erhöhen und eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts ermöglichen.

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