STMicroelectronics Leistungs-MOSFET 58 mΩ 8-Pin TO-LL
- RS Best.-Nr.:
- 330-560
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT055TO65G3
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 58mΩ | |
| Nennleistung | 234W | |
| Gehäusegröße | TO-LL | |
| Maximale Versorgungsspannung | 650V | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebsstrom | 30A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 58mΩ | ||
Nennleistung 234W | ||
Gehäusegröße TO-LL | ||
Maximale Versorgungsspannung 650V | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebsstrom 30A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über einen weiten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen Kapazitäten und hoher Schaltfähigkeit. Diese Eigenschaften verbessern die Anwendungsleistung, indem sie die Frequenz und die Energieeffizienz erhöhen und eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts ermöglichen.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
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