STMicroelectronics Leistungs-MOSFET 40 mΩ 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 330-558
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040HU120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- SCT040HU120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 40mΩ | |
| Nennleistung | 300W | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1200V | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Betriebsstrom | 40A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 40mΩ | ||
Nennleistung 300W | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Maximale Versorgungsspannung 1200V | ||
Pinanzahl 7 | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Betriebsstrom 40A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- JP
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über einen weiten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen Kapazitäten und hoher Schaltfähigkeit. Diese Eigenschaften verbessern die Anwendungsleistung, indem sie die Frequenz und die Energieeffizienz erhöhen und eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts ermöglichen.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
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