onsemi MJE15032G THT, NPN Transistor 250 V / 8 A 30 MHz, TO-220AB 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 102-1375
Herst. Teile-Nr.:: MJE15032G
Marke:: onsemi

onsemi MJE15032G THT, NPN Transistor 250 V / 8 A 30 MHz, TO-220AB 3-Pin

Voraussichtlich ab 31.07.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

1,137 €

(ohne MwSt.)

1,353 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	1,137 €	56,85 €
100 - 450	0,904 €	45,20 €
500 - 950	0,765 €	38,25 €
1000 - 2450	0,624 €	31,20 €
2500 +	0,623 €	31,15 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 102-1375
Herst. Teile-Nr.:: MJE15032G
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Normen

Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Der on Semiconductor MJE15032G ist ein bipolarer 250-V-, 8-A-NPN-Transistor in einem TO-220-3-Gehäuse. Dieser bipolare Leistungstransistor ist für den Einsatz als Hochfrequenztreiber in Audioverstärkeranwendungen vorgesehen.

• Hohe Gleichstromverstärkung
• Hohe Stromverstärkung - Bandbreiten-Produkt
• durchkontaktiertes TO-220-Gehäuse

Lieferbare Versionen:
102-1375 - Rohr mit 50 Stück
463-634 - Packung mit 5 Stück

Alternative Optionen:
464-158 - MjE15033G PNP (Packung mit 5 Stück)
102-2276 - MjE15033G PNP (Rohr mit 50 Stück)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
DC Kollektorstrom max.	8 A
Kollektor-Emitter-Spannung	250 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.	250 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Arbeitsfrequenz max.	30 MHz
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Abmessungen	9.28 x 10.28 x 4.82mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C