Infineon IDL04G65C5 Oberfläche Gleichrichter & Schottky-Diode Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 650 V / 4 A, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 258-0965
- Herst. Teile-Nr.:
- IDL04G65C5XUMA2
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
1.815,00 €
(ohne MwSt.)
2.160,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. November 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,605 € | 1.815,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0965
- Herst. Teile-Nr.:
- IDL04G65C5XUMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gleichrichter & Schottky-Diode | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | PG-VSON-4 | |
| Maximaler Dauerdurchlassstrom If | 4A | |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm | 650V | |
| Diodenkonfiguration | Siliziumkarbid-Schottky-Diode | |
| Serie | IDL04G65C5 | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.7V | |
| Spitzensperrstrom Ir | 70μA | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | J-STD20 and JESD22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gleichrichter & Schottky-Diode | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße PG-VSON-4 | ||
Maximaler Dauerdurchlassstrom If 4A | ||
Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm 650V | ||
Diodenkonfiguration Siliziumkarbid-Schottky-Diode | ||
Serie IDL04G65C5 | ||
Pinanzahl 5 | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.7V | ||
Spitzensperrstrom Ir 70μA | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen J-STD20 and JESD22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolSiC Schottky-Dioden der Generation 5 600 V, 2 A in einem DPAK real 2-poligen Gehäuse stellen unsere führende Technologie für SiC-Schottky-Dioden dar. Das proprietäre Diffusionslötverfahren von Infineon, das bereits mit G3 eingeführt wurde, wird jetzt mit einer neuen, kompakteren Bauweise und dünner Wafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie, die über alle Belastungsbedingungen einen verbesserten Wirkungsgrad aufweist, sowohl durch verbesserte thermische Eigenschaften als auch durch eine geringere Verdienstleistung.
Keine umgekehrte Wiederherstellungsladung
Sanft schaltende Wellenform mit umgekehrter Erholung
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Sehr stabile Schaltleistung
Geringere Kühlungsanforderungen
Verringerte Risiken von thermischer Flucht
Verwandte Links
- Infineon IDL04G65C5 Oberfläche Gleichrichter & Schottky-Diode Siliziumkarbid-Schottky-Diode 5-Pin
- Infineon 5th Generation thinQ!TM Durchsteckmontage Schaltdiode Schottky-Diode Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 650 V / 40
- STMicroelectronics STPSC Durchsteckmontage Schottky-Diode SiC-Schottky Siliziumkarbid-Schottky-Diode
- STMicroelectronics STPSC Durchsteckmontage Schottky-Diode SiC-Schottky Siliziumkarbid-Schottky-Diode
- STMicroelectronics STPSC Durchsteckmontage Schottky-Diode SiC-Schottky Siliziumkarbid-Schottky-Diode
- STMicroelectronics STPSC Durchsteckmontage Schottky-Diode SiC-Schottky Siliziumkarbid-Schottky-Diode 2-Pin
- STMicroelectronics STPSC Durchsteckmontage Schottky-Diode SiC-Schottky Siliziumkarbid-Schottky-Diode 2-Pin
- Infineon 5th Generation thinQ!TM Durchsteckmontage SiC-Siliziumkarbid-Diode Schottky-Diode 2-Pin TO-220
