STMicroelectronics THT SiC-Schottky Diode, 650V / 8A, 2-Pin TO-220AC
- RS Best.-Nr.:
- 164-6971
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC8065D
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,647 € | 82,35 € |
| 100 - 200 | 1,579 € | 78,95 € |
| 250 + | 1,539 € | 76,95 € |
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- 164-6971
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC8065D
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die SiC-Diode ist eine extrem leistungsstarke Schottky-Diode. Die Diode ist aus einem Siliziumkarbid-Substrat gefertigt. Das Material mit breitem Bandabstand ermöglicht die Konstruktion einer Schottky-Diode mit 650 V Nennleistung. Aufgrund der Schottky-Konstruktion wird beim Ausschalten keine Wiederherstellung angezeigt und Klingelmuster sind unerheblich. Das minimale kapazitive Ausschaltverhalten ist unabhängig von der Temperatur. Diese SIC-Diode von ST ist besonders geeignet für den Einsatz in PFC-Anwendungen und stärkt die Leistung in harten Schaltbedingungen. Seine hohe Stoßspannungsfestigkeit in Durchlassrichtung gewährleistet eine gute Stabilität in den Einschwingphasen
Keine oder geringe SperrverzögerungSchaltverhalten unabhängig von der TemperaturSpeziell für PFC-AnwendungenHohe Stoßspannungsfestigkeit in DurchlassrichtungBetriebstemperatur Tj von –40 °C bis 175 °C
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-220AC |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 8A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 1.65V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 200A |
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