- RS Best.-Nr.:
- 209-8113
- Herst. Teile-Nr.:
- VS-C08ET07T-M3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
5 - 45 | 2,888 € | 14,44 € |
50 - 120 | 2,454 € | 12,27 € |
125 - 245 | 2,34 € | 11,70 € |
250 - 495 | 2,166 € | 10,83 € |
500 + | 1,992 € | 9,96 € |
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- 209-8113
- Herst. Teile-Nr.:
- VS-C08ET07T-M3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Vishay 650-V-SiC-PIN-Schottky-Diode mit Durchlassstrom von 8 A.
Majory-Trägerdiode mit Schottky-Technologie auf SiC-Breitband Spaltmaterial
Positiver VF-Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
Praktisch kein Rückgewinnungsschwanz und keine Schaltverluste
Temperaturinvariantes Schaltverhalten
Maximale Betriebstemperatur von 175 °C am Übergang
MPS-Struktur für hohe Robustheit gegenüber Überstrom-Überspannungen
Positiver VF-Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
Praktisch kein Rückgewinnungsschwanz und keine Schaltverluste
Temperaturinvariantes Schaltverhalten
Maximale Betriebstemperatur von 175 °C am Übergang
MPS-Struktur für hohe Robustheit gegenüber Überstrom-Überspannungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Montage-Typ | THT |
Gehäusegröße | 2 L TO-220AC |
Dauer-Durchlassstrom max. | 8A |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
Diodenkonfiguration | Einfach |
Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
Diode Typ | SiC-Schottky |
Pinanzahl | 3 |
Diodentechnologie | SiC-Schottky |
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