Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Vishay THT SiC-Schottky Diode, 650V / 12A, 3-Pin 2 L TO-220AC

RS Best.-Nr.:: 209-8117
Herst. Teile-Nr.:: VS-C12ET07T-M3
Marke:: Vishay

Vishay THT SiC-Schottky Diode, 650V / 12A, 3-Pin 2 L TO-220AC

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

3,735 €

(ohne MwSt.)

4,445 €

(inkl. MwSt.)

950 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	3,735 €	186,75 €
100 - 200	3,362 €	168,10 €
250 - 450	3,175 €	158,75 €
500 +	3,063 €	153,15 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 209-8117
Herst. Teile-Nr.:: VS-C12ET07T-M3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - VS-C12ET07T-M3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Vishay 650-V-SiC-PIN-Schottky-Diode mit Durchlassstrom von 12 A.

Majory-Trägerdiode mit Schottky-Technologie auf SiC-Breitband Spaltmaterial
Positiver VF-Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
Praktisch kein Rückgewinnungsschwanz und keine Schaltverluste
Temperaturinvariantes Schaltverhalten
Maximale Betriebstemperatur von 175 °C am Übergang
MPS-Struktur für hohe Robustheit gegenüber Überstrom-Überspannungen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	THT
Gehäusegröße	2 L TO-220AC
Dauer-Durchlassstrom max.	12A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	650V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	3
Diodentechnologie	SiC-Schottky