Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Vishay THT SiC-Schottky Diode, 650V / 10A, 3-Pin 2 L TO-220AC

RS Best.-Nr.:: 209-8115
Herst. Teile-Nr.:: VS-C10ET07T-M3
Marke:: Vishay

Vishay THT SiC-Schottky Diode, 650V / 10A, 3-Pin 2 L TO-220AC

940 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

3,63 €

(ohne MwSt.)

4,32 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	3,63 €	18,15 €
25 - 45	3,086 €	15,43 €
50 - 120	2,94 €	14,70 €
125 - 245	2,724 €	13,62 €
250 +	2,506 €	12,53 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 209-8115
Herst. Teile-Nr.:: VS-C10ET07T-M3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - VS-C10ET07T-M3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Vishay 650-V-SiC-PIN-Schottky-Diode mit Durchlassstrom von 10 A.

Majory-Trägerdiode mit Schottky-Technologie auf SiC-Breitband Spaltmaterial
Positiver VF-Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
Praktisch kein Rückgewinnungsschwanz und keine Schaltverluste
Temperaturinvariantes Schaltverhalten
Maximale Betriebstemperatur von 175 °C am Übergang
MPS-Struktur für hohe Robustheit gegenüber Überstrom-Überspannungen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	THT
Gehäusegröße	2 L TO-220AC
Dauer-Durchlassstrom max.	10A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	650V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	3
Diodentechnologie	SiC-Schottky