STMicroelectronics THT SiC-Schottky Diode, 650V / 10A, 2-Pin TO-220AC
- RS Best.-Nr.:
- 164-7015
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC10065D
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,45 € | 4,90 € |
| 10 - 18 | 2,325 € | 4,65 € |
| 20 - 48 | 2,09 € | 4,18 € |
| 50 - 98 | 1,88 € | 3,76 € |
| 100 + | 1,785 € | 3,57 € |
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- 164-7015
- Herst. Teile-Nr.:
- STPSC10065D
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Produktdetails
Die SiC-Diode ist eine extrem leistungsstarke Schottky-Diode. Die Diode ist aus einem Siliziumkarbid-Substrat gefertigt. Das Material mit breitem Bandabstand ermöglicht die Konstruktion einer Schottky-Diode mit 650 V Nennleistung. Aufgrund der Schottky-Konstruktion wird beim Ausschalten keine Wiederherstellung angezeigt und Klingelmuster sind unerheblich. Das minimale kapazitive Ausschaltverhalten ist unabhängig von der Temperatur. Diese SIC-Diode von ST ist besonders geeignet für den Einsatz in PFC-Anwendungen und stärkt die Leistung in harten Schaltbedingungen. Seine hohe Stoßspannungsfestigkeit in Durchlassrichtung gewährleistet eine gute Stabilität in den Einschwingphasen
Keine oder geringe SperrverzögerungSchaltverhalten unabhängig von der TemperaturSpeziell für PFC-AnwendungenHohe Stoßspannungsfestigkeit in DurchlassrichtungBetriebstemperatur Tj von –40 °C bis 175 °C
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-220AC |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 10A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 1.65V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 210A |
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