- RS Best.-Nr.:
- 209-8114
- Herst. Teile-Nr.:
- VS-C10ET07T-M3
- Marke:
- Vishay
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
3,051 €
(ohne MwSt.)
3,631 €
(inkl. MwSt.)
999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
50 - 50 | 3,051 € | 152,55 € |
100 - 200 | 2,746 € | 137,30 € |
250 - 450 | 2,593 € | 129,65 € |
500 + | 2,502 € | 125,10 € |
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 209-8114
- Herst. Teile-Nr.:
- VS-C10ET07T-M3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Vishay 650-V-SiC-PIN-Schottky-Diode mit Durchlassstrom von 10 A.
Majory-Trägerdiode mit Schottky-Technologie auf SiC-Breitband Spaltmaterial
Positiver VF-Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
Praktisch kein Rückgewinnungsschwanz und keine Schaltverluste
Temperaturinvariantes Schaltverhalten
Maximale Betriebstemperatur von 175 °C am Übergang
MPS-Struktur für hohe Robustheit gegenüber Überstrom-Überspannungen
Positiver VF-Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
Praktisch kein Rückgewinnungsschwanz und keine Schaltverluste
Temperaturinvariantes Schaltverhalten
Maximale Betriebstemperatur von 175 °C am Übergang
MPS-Struktur für hohe Robustheit gegenüber Überstrom-Überspannungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Montage-Typ | THT |
Gehäusegröße | 2 L TO-220AC |
Dauer-Durchlassstrom max. | 10A |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
Diodenkonfiguration | Einfach |
Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
Diode Typ | SiC-Schottky |
Pinanzahl | 3 |
Diodentechnologie | SiC-Schottky |
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