onsemi THT SiC-Schottky Diode Dual, gemeinsame Kathode, 1200V / 50A, 3-Pin TO-247

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C
Positiver Temperaturkoeffizient
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung

Anwendungen:
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte
Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler
Endprodukte:
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte