onsemi THT SiC-Schottky Diode, 650V / 20A, 2-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 178-4277
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSPF2065A
- Marke:
- onsemi
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- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D1, TO-220F-2L Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D1, TO-220F-2L
Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.
Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendungen
PFC
Industrielle Stromversorgung
Solar
EV-Ladegerät
UPS
Schweißen
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendungen
PFC
Industrielle Stromversorgung
Solar
EV-Ladegerät
UPS
Schweißen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-220F |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 20A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 1.1kA |
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