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onsemi THT SiC-Schottky Diode , 1200V / 17A, 2-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 178-4429
Herst. Teile-Nr.:: FFSH10120A-F085
Marke:: onsemi

onsemi THT SiC-Schottky Diode , 1200V / 17A, 2-Pin TO-247

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Preis pro Stück

9,93 €

(ohne MwSt.)

11,82 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 4	9,93 €
5 - 9	9,64 €
10 - 14	9,44 €
15 - 19	9,13 €
20 +	8,94 €

RS Best.-Nr.:: 178-4429
Herst. Teile-Nr.:: FFSH10120A-F085
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet FFSH10120A-F085

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, TO-247-2L

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C

Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Anwendungen:
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte
Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler
Endprodukte:
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	THT
Gehäusegröße	TO-247
Dauer-Durchlassstrom max.	17A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	1200V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	2
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodentechnologie	SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch	850A