onsemi THT SiC-Schottky Diode , 650V / 20A, 2-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 189-0180
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSH2065B-F085
- Marke:
- onsemi
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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
3,826 €
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| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 30 + | 3,826 € | 114,78 € |
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- FFSH2065B-F085
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, TO-247-2L Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) für die Automobilindustrie, 650 V
Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und -kosten
Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
PPAP-fähig
Anwendungen
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte
Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
PPAP-fähig
Anwendungen
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte
Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 20A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 889 (Peak)A |