onsemi THT SiC-Schottky Diode, 1700V / 35A, 2-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 195-2482
- Herst. Teile-Nr.:
- NDSH25170A
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 25 A, 1700 V, D1, TO-247-2L Siliziumkarbid Schottky-Diode 1700 V, 25 A
Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.
Max. Abzweigtemperatur
TJ = 175 °C
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendung
SMPS
Solarwechselrichter
UPS
Leistungsschaltkreise
TJ = 175 °C
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendung
SMPS
Solarwechselrichter
UPS
Leistungsschaltkreise
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 35A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 1700V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 2.8V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
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