onsemi THT SiC-Schottky Diode , 650V / 10.1A, 2-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 195-8721
Herst. Teile-Nr.:: FFSP0865B
Marke:: onsemi

onsemi THT SiC-Schottky Diode , 650V / 10.1A, 2-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 195-8721
Herst. Teile-Nr.:: FFSP0865B
Marke:: onsemi

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Datasheet FFSP0865B

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, TO-220-2L
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, TO-220-2L

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175°C
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Anwendungen
Allgemeine Anwendungen
SMPS, Solarwechselrichter, USV
Leistungsschaltkreise

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	THT
Gehäusegröße	TO-220
Dauer-Durchlassstrom max.	10.1A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	650V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	2
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodentechnologie	SiC-Schottky