onsemi SMD SiC-Schottky Diode je 1 Paar gemeinsame Anode / Kathode, 650V / 8A, 5-Pin PQFN 8X8
- RS Best.-Nr.:
- 214-8796
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSM0865B
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, Power88
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, Power88
Die on Semiconductor FFSM-Serie besteht aus Siliziumkarbid-Schottky-Dioden, die eine völlig neue Technologie verwenden, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Er wird üblicherweise in Wechselrichtern, SMPS und USV usw. verwendet
Höchster Wirkungsgrad
faster Betriebs
Erhöhte Leistungsdichte
Verminderte elektromagnetische Störungen
faster Betriebs
Erhöhte Leistungsdichte
Verminderte elektromagnetische Störungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | PQFN 8X8 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 8A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 650V |
| Diodenkonfiguration | je 1 Paar gemeinsame Anode / Kathode |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 5 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
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