Intelligent Memory SDRAM 128MBit 8M x 16 SDR 166MHz 5ns FBGA 54-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 588-653
- Herst. Teile-Nr.:
- IM1216SDBABG-6I
- Marke:
- Intelligent Memory
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Intelligent Memory | |
| Speicher Größe | 128MBit | |
| Organisation | 8M x 16 | |
| SDRAM-Klasse | SDR | |
| Datenumfang | 166MHz | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 5ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Pinanzahl | 54 | |
| Betriebstemperatur max. | 85 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 3V | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Intelligent Memory | ||
Speicher Größe 128MBit | ||
Organisation 8M x 16 | ||
SDRAM-Klasse SDR | ||
Datenumfang 166MHz | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Zugriffszeit max. 5ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Pinanzahl 54 | ||
Betriebstemperatur max. 85 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 3V | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Intelligent Memory Four bank Synchronous DRAM ist als 4 Bänke x 2 Mbit x 16 organisiert. Er erreicht Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsraten von bis zu 200 MHz durch den Einsatz einer Chip-Architektur, die mehrere Bits vorabruft und dann die Ausgangsdaten mit einem Systemtakt synchronisiert.
Mehrfaches Burst-Lesen mit Einzelschreibvorgang
Automatisches und gesteuertes Precharge-Kommando
Abschaltmodus
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
Automatisches und gesteuertes Precharge-Kommando
Abschaltmodus
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
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