ISSI SDRAM 8 GB SMD BGA 96-Pin

Der ISSI 8 Gb DDR3 SDRAM unterstützt Standardspannungen von VDD und VDDQ bei 1,5 V ± 0,075 V und Niederspannungsbetrieb bei 1,35 V +0,1 V −067 V mit Rückwärtskompatibilität bis 1,5 V. Es bietet Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsraten mit Systemfrequenzen bis zu 933 MHz und umfasst 8 interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb. Es basiert auf einer 8-n-Bit-Prefetch-Architektur und verfügt über eine programmierbare CAS-Latenz, programmierbare additive Latenzoptionen von 0 CL-1 oder CL-2 sowie eine programmierbare CAS-Schreiblatenz CWL auf Basis von tCK. Das Gerät unterstützt auch programmierbare Burst Längen von 4 und 8.

BL-Schalter im Griff