Alliance Memory SDRAM 512 MB 32M x 16 Oberfläche 16 bit FBGA 96-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 665-381
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C32M16D3-12BIN
- Marke:
- Alliance Memory
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 512MB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Organisation | 32M x 16 | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Taktfrequenz max. | 933MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Pinanzahl | 96 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 95°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Länge | 13mm | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1.575V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.425V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 512MB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Organisation 32M x 16 | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Taktfrequenz max. 933MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Pinanzahl 96 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 95°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 8 mm | ||
Länge 13mm | ||
Maximale Versorgungsspannung 1.575V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.425V | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
La mémoire DRAM DDR3 Alliance Memory 512 Mo DDR3 est dotée d'une architecture de débit de données double pour un fonctionnement haut débit et est configurée en interne comme une mémoire DRAM à huit banques. Il est organisé sous la forme de 4 Mbits x 16 banques d'E/S x 8 et prend en charge des vitesses de transfert de données à double débit jusqu'à 1 866 Mb/s par broche, ce qui le rend adapté aux applications hautes performances générales. Le dispositif est conforme à toutes les spécifications DDR3 clés, avec toutes les entrées de commande et d'adresse synchronisées à une paire d'horloges différentielles fournies à l'extérieur.
8 banques internes pour un fonctionnement simultané
Architecture préfixe 8 n bits
Architecture interne goudronnée
Précharge et mise hors tension active
Registre de mode programmable et de mode étendu
Le type Burst est séquentiel et Interleave
Contrôle d'impédance de driver de sortie
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