Alliance Memory SDRAM 8 GB 512M x 16 Oberfläche 32 Bits/Wort 16 bit TFBGA 200-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 665-385
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C512M16MD4V-053BIN
- Marke:
- Alliance Memory
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 8GB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Organisation | 512M x 16 | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 6bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 32 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TFBGA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 200 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 95°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | 0.6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 8GB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Organisation 512M x 16 | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 6bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 32 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TFBGA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 200 | ||
Maximale Betriebstemperatur 95°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung 0.6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 1.8V | ||
- Ursprungsland:
- KR
La mémoire DRAM LPDDR4X Alliance Memory 8 Go (x16) dans un boîtier FBGA de 200 billes est dotée d'une architecture à double débit de données permettant deux transferts de données par cycle d'horloge. Les commandes et les adresses sont verrouillées sur les bords positifs du CK, tandis que les signaux de masque de données et de données sont référencés aux deux bords du DQS. Il inclut 8 banques internes par canal et prend en charge l'étalonnage CA, le VREF interne avec formation VREF et la formation en écriture/lecture basée sur FIFO. En outre, il offre une fonctionnalité MPC (commande multi-usages) pour un contrôle et une flexibilité améliorés.
Option de précharge automatique pour chaque accès d'éclatement
Résistance d'entraînement configurable
Modes de rafraîchissement et d'auto-rafraîchissement
Ajustement de l'écriture
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