Micron SDRAM 4 GB SMD 16 Bits/Wort 16 bit 13.91 ns FBGA 96-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 696-909
- Herst. Teile-Nr.:
- MT41K256M16TW-107 IT:P
- Marke:
- Micron
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- Micron
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Micron | |
| Speicher Größe | 4GB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 15bit | |
| Taktfrequenz max. | 933MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 13.91ns | |
| Anzahl der Wörter | 256 Meg | |
| Montageart | SMD | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Pinanzahl | 96 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 95°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 8mm | |
| Serie | MT41K | |
| Länge | 14mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1.45V | |
| Versorgungsstrom | 46mA | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.283V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Micron | ||
Speicher Größe 4GB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 15bit | ||
Taktfrequenz max. 933MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 13.91ns | ||
Anzahl der Wörter 256 Meg | ||
Montageart SMD | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Pinanzahl 96 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 95°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 8mm | ||
Serie MT41K | ||
Länge 14mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Maximale Versorgungsspannung 1.45V | ||
Versorgungsstrom 46mA | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.283V | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Micron DDR3 SDRAM verwendet eine Architektur mit doppelter Datenrate, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Architektur mit doppelter Datenrate ist eine 8-n-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den I/O-Pins entwickelt wurde. Ein einzelner Lese- oder Schreibvorgang für den DDR3 SDRAM besteht effektiv aus einer einzelnen 8-n-Bit-Datenübertragung mit vier Taktzyklen am internen DRAM-Kern und acht entsprechenden n-bit-Datenübertragungen mit einem halben Taktzyklus an den E/A-Pins.
Selbstwiederholungstemperatur
Automatische Selbstaktualisierung
Mehrzweckregister
RoHS-Konformität
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