Winbond SDRAM 128MBit 8M x 16 Bit 200MHz 8bit Bits/Wort TSOP 66-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-2574
- Herst. Teile-Nr.:
- W9412G6KH-5I
- Marke:
- Winbond
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- W9412G6KH-5I
- Marke:
- Winbond
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Speicher Größe | 128MBit | |
| Organisation | 8M x 16 Bit | |
| Datenumfang | 200MHz | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Anzahl der Wörter | 16M | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 66 | |
| Abmessungen | 22.35 x 10.29 x 1.05mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 22.35mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Arbeitsspannnung max. | 2,7 V | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,3 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Breite | 10.29mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Speicher Größe 128MBit | ||
Organisation 8M x 16 Bit | ||
Datenumfang 200MHz | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Anzahl der Wörter 16M | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 66 | ||
Abmessungen 22.35 x 10.29 x 1.05mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 22.35mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Arbeitsspannnung max. 2,7 V | ||
Arbeitsspannnung min. 2,3 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Breite 10.29mm | ||
Der W9412G6KH ist ein 128 M DDR SDRAM und eine Geschwindigkeit von -5/-5I/-6I.
2,5 V ±0,2 V Netzteil für DDR400/333
2,4-V∼2,7-V-Netzteil für DDR500
Bis zu 250 MHz Taktfrequenz
Architektur mit doppelter Datenrate, zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
DQS ist kantenbündig mit Daten für Lesen, mittig ausgerichtet mit Daten für Schreiben
CAS-Latenz: 2, 2,5 und 3
Burst-Länge: 2, 4 und 8
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
Datenmaske schreiben
Schreiblatenz = 1
15,6 μS Aktualisierungsintervall (4K/64 ms Aktualisierung)
Maximaler Burst-Aktualisierungszyklus: 8
Schnittstelle: SSTL_2
2,4-V∼2,7-V-Netzteil für DDR500
Bis zu 250 MHz Taktfrequenz
Architektur mit doppelter Datenrate, zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
DQS ist kantenbündig mit Daten für Lesen, mittig ausgerichtet mit Daten für Schreiben
CAS-Latenz: 2, 2,5 und 3
Burst-Länge: 2, 4 und 8
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
Datenmaske schreiben
Schreiblatenz = 1
15,6 μS Aktualisierungsintervall (4K/64 ms Aktualisierung)
Maximaler Burst-Aktualisierungszyklus: 8
Schnittstelle: SSTL_2