Winbond SDRAM 128MBit 8M x 16 Bit 166MHz 8bit Bits/Wort TFBGA 90-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-2596
Herst. Teile-Nr.:
W9812G2KB-6I
Marke:
Winbond
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Marke

Winbond

Speicher Größe

128MBit

Organisation

8M x 16 Bit

Datenumfang

166MHz

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Anzahl der Wörter

16M

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TFBGA

Pinanzahl

90

Abmessungen

13.05 x 8.05 x 0.6mm

Höhe

0.6mm

Länge

13.05mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Arbeitsspannnung min.

3 V

Breite

8.05mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

3,3 V ±0,3 V Netzteil
1.048.576 Wörter x 4 Banken x 32-Bit-Organisation
Selbstaktualisierungsstrom: Standard und niedrige Leistung
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite
Sequenzielle und Interleave-Burst
Byte-Daten gesteuert durch DQM0-3
Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung
Burst-Lese-, Einzelschreibbetrieb
4K-Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVTTL
Verpackt in TFBGA 90-Kugel (8 x 13 mm2), mit bleifreien Materialien.
Dual-Matrize-Gehäuse (DDP), zwei Stück 64-M-Bit-Chip in einem Gehäuse abgedichtet

Der W9812G2KB ist ein 128 M SDRAM und eine Geschwindigkeit von -6/-6I.

3,3-V± 0,3-V-Netzteil 1.048.576 Wörter x 4 Banken x 32-Bit-Organisation
Selbstaktualisierungsmodus
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite
Sequenzielle und Interleave-Burst
Byte-Daten gesteuert durch DQM0-3
Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung
Burst-Lese-, Einzelschreibbetrieb
4K-Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVTTL
Dual-Matrize-Gehäuse (DDP), zwei Stück 64-M-Bit-Chip, abgedichtet in einem
Gehäuse