Winbond SDRAM 512MBit 64 MB x 8 Bit LPDDR 200MHz 8bit Bits/Wort 5ns VFBGA 90-Pin, 1,7 V bis 1,95 V

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RS Best.-Nr.:
188-2651
Herst. Teile-Nr.:
W949D2DBJX5I
Marke:
Winbond
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Marke

Winbond

Speicher Größe

512MBit

SDRAM-Klasse

LPDDR

Organisation

64 MB x 8 Bit

Datenumfang

200MHz

Datenbus-Breite

32bit

Adressbusbreite

15bit

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

5ns

Anzahl der Wörter

64M

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

VFBGA

Pinanzahl

90

Abmessungen

13.1 x 8.1 x 0.65mm

Höhe

0.65mm

Länge

13.1mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Arbeitsspannnung max.

1,95 V

Arbeitsspannnung min.

1,7 V

Breite

8.1mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

VDD = 1,7 ∼ 1,95 V
VDDQ = 1,7-1,95 V
Datenbreite: X16 / x32
Taktrate: 200 MHz (-5), 166 MHz (-6)
Refresh-Modus serienmäßig
Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR)
Automatische temperaturkompensierte Selbstaktualisierung (ATCSR)
Abschaltmodus
Deep-Power-Down-Modus (DPD-Modus)
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten
Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten
Automatische Vorladeoption für jeden Burst-Zugriff
Doppelte Datenrate für Datenausgabe
Differenzielle Takteingänge (CK und CK)
Bidirektional, Datenstrobe (DQS)
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 2, 4, 8 und 16
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
8 K Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVCMOS-kompatibel
Supportpaket:
60 Kugeln VFBGA (x16)
90 Kugeln VFBGA (x32)
Betriebstemperaturbereich
Erweitert: -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Industrie: -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.

Dies ist ein 512 MB DDR SDRAM mit geringer Leistungsaufnahme, organisiert als 2 M Wörter x 4 Bänke x 32 Bit.

Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen

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