Winbond SDRAM 1Gbit 128M x 8 Bit 200MHz 8bit Bits/Wort VFBGA 90-Pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-2716
Herst. Teile-Nr.:
W94AD2KBJX5I
Marke:
Winbond
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Marke

Winbond

Speicher Größe

1Gbit

Organisation

128M x 8 Bit

Datenumfang

200MHz

Datenbus-Breite

32bit

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Anzahl der Wörter

128M

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

VFBGA

Pinanzahl

90

Abmessungen

13.1 x 8.1 x 0.65mm

Höhe

0.65mm

Länge

13.1mm

Arbeitsspannnung max.

1,95 V

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Breite

8.1mm

Arbeitsspannnung min.

1,7 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

VDD = 1,7 ∼ 1,95 V
VDDQ = 1,7 ∼ 1,95 V
Datenbreite:x16/x32
Taktrate: 200 MHz (-5), 166 MHz (-6)
Refresh-Modus serienmäßig
Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR)
Automatische temperaturkompensierte Selbstaktualisierung (ATCSR)
Abschaltmodus
Deep-Power-Down-Modus (DPDMode)
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten
Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten
Automatische Vorladeoption für jeden Burst-Zugriff
Doppelte Datenrate für Datenausgabe
Differenzielle Takteingänge (CK und CK)
Bidirektional, Datenstrobe (DQS)
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 2, 4, 8 und 16
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
8 K Aktualisierungszyklen / 64 ms
Schnittstelle: LVCMOS-kompatibel
Stützgehäuse: 60 Kugeln VFBGA (x16), 90 Kugeln VFBGA (x32)
Betriebstemperaturbereich: Erweitert: -25 °C ≤TCASE≤ 85 °C, Industrie: -40 °C ≤TCASE≤ 85 °C.

Dies ist ein 1-GB-DDR-SDRAM mit geringer Leistungsaufnahme, organisiert als 8 M Wörter x 4 Bänke x 32 Bit.

Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen