Winbond SDRAM 1Gbit 128M x 8 Bit 200MHz 8bit Bits/Wort VFBGA 90-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-2716
- Herst. Teile-Nr.:
- W94AD2KBJX5I
- Marke:
- Winbond
Nicht verfügbar
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- Marke:
- Winbond
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Speicher Größe | 1Gbit | |
| Organisation | 128M x 8 Bit | |
| Datenumfang | 200MHz | |
| Datenbus-Breite | 32bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Anzahl der Wörter | 128M | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | VFBGA | |
| Pinanzahl | 90 | |
| Abmessungen | 13.1 x 8.1 x 0.65mm | |
| Höhe | 0.65mm | |
| Länge | 13.1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 1,95 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Breite | 8.1mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Speicher Größe 1Gbit | ||
Organisation 128M x 8 Bit | ||
Datenumfang 200MHz | ||
Datenbus-Breite 32bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Anzahl der Wörter 128M | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße VFBGA | ||
Pinanzahl 90 | ||
Abmessungen 13.1 x 8.1 x 0.65mm | ||
Höhe 0.65mm | ||
Länge 13.1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 1,95 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Breite 8.1mm | ||
Arbeitsspannnung min. 1,7 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
VDD = 1,7 ∼ 1,95 V
VDDQ = 1,7 ∼ 1,95 V
Datenbreite:x16/x32
Taktrate: 200 MHz (-5), 166 MHz (-6)
Refresh-Modus serienmäßig
Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR)
Automatische temperaturkompensierte Selbstaktualisierung (ATCSR)
Abschaltmodus
Deep-Power-Down-Modus (DPDMode)
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten
Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten
Automatische Vorladeoption für jeden Burst-Zugriff
Doppelte Datenrate für Datenausgabe
Differenzielle Takteingänge (CK und CK)
Bidirektional, Datenstrobe (DQS)
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 2, 4, 8 und 16
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
8 K Aktualisierungszyklen / 64 ms
Schnittstelle: LVCMOS-kompatibel
Stützgehäuse: 60 Kugeln VFBGA (x16), 90 Kugeln VFBGA (x32)
Betriebstemperaturbereich: Erweitert: -25 °C ≤TCASE≤ 85 °C, Industrie: -40 °C ≤TCASE≤ 85 °C.
VDDQ = 1,7 ∼ 1,95 V
Datenbreite:x16/x32
Taktrate: 200 MHz (-5), 166 MHz (-6)
Refresh-Modus serienmäßig
Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR)
Automatische temperaturkompensierte Selbstaktualisierung (ATCSR)
Abschaltmodus
Deep-Power-Down-Modus (DPDMode)
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten
Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten
Automatische Vorladeoption für jeden Burst-Zugriff
Doppelte Datenrate für Datenausgabe
Differenzielle Takteingänge (CK und CK)
Bidirektional, Datenstrobe (DQS)
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 2, 4, 8 und 16
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
8 K Aktualisierungszyklen / 64 ms
Schnittstelle: LVCMOS-kompatibel
Stützgehäuse: 60 Kugeln VFBGA (x16), 90 Kugeln VFBGA (x32)
Betriebstemperaturbereich: Erweitert: -25 °C ≤TCASE≤ 85 °C, Industrie: -40 °C ≤TCASE≤ 85 °C.
Dies ist ein 1-GB-DDR-SDRAM mit geringer Leistungsaufnahme, organisiert als 8 M Wörter x 4 Bänke x 32 Bit.
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen
