Winbond SDRAM 1Gbit 128M x 8 Bit 400MHz 8bit Bits/Wort VFBGA 134-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-2791
- Herst. Teile-Nr.:
- W97AH6KBVX2I
- Marke:
- Winbond
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- 188-2791
- Herst. Teile-Nr.:
- W97AH6KBVX2I
- Marke:
- Winbond
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Speicher Größe | 1Gbit | |
| Organisation | 128M x 8 Bit | |
| Datenumfang | 400MHz | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Anzahl der Wörter | 128M | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | VFBGA | |
| Pinanzahl | 134 | |
| Abmessungen | 11.6 x 10.1 x 0.63mm | |
| Höhe | 0.63mm | |
| Länge | 11.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,7 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 1,95 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Breite | 10.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Speicher Größe 1Gbit | ||
Organisation 128M x 8 Bit | ||
Datenumfang 400MHz | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Anzahl der Wörter 128M | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße VFBGA | ||
Pinanzahl 134 | ||
Abmessungen 11.6 x 10.1 x 0.63mm | ||
Höhe 0.63mm | ||
Länge 11.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 1,7 V | ||
Arbeitsspannnung max. 1,95 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Breite 10.1mm | ||
VDD1 = 1,7 ∼ 1,95 V
VDD2/VDDCA/VDDQ = 1,14 V∼1,30 V
Datenbreite: X16 / x32
Taktrate: Bis zu 533 MHz
Datenrate: Bis zu 1066 Mbit/s/Stift
4-Bit-Prefetch-DDR-Architektur
Acht interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Programmierbare LESE- und WRITE-Latenzen (RL/WL)
Programmierbare Burst-Längen: 4, 8 oder 16
Pro Bank-Refresh
Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR)
Deep-Power-Down-Modus (DPD-Modus)
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten
Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten
Doppelte Datenrate für Datenausgabe
Differenzielle Takteingänge
Bidirektionaler differenzieller Datenstroboskop
Schnittstelle: HSUL_12
Supportpaket:
Einkanal: 134 VFBGA (10 mm x 11,5 mm)
Einkanal: 168 WFBGA (12 mm x 12 mm)
Betriebstemperaturbereich:
-25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
-40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
VDD2/VDDCA/VDDQ = 1,14 V∼1,30 V
Datenbreite: X16 / x32
Taktrate: Bis zu 533 MHz
Datenrate: Bis zu 1066 Mbit/s/Stift
4-Bit-Prefetch-DDR-Architektur
Acht interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Programmierbare LESE- und WRITE-Latenzen (RL/WL)
Programmierbare Burst-Längen: 4, 8 oder 16
Pro Bank-Refresh
Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR)
Deep-Power-Down-Modus (DPD-Modus)
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten
Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten
Doppelte Datenrate für Datenausgabe
Differenzielle Takteingänge
Bidirektionaler differenzieller Datenstroboskop
Schnittstelle: HSUL_12
Supportpaket:
Einkanal: 134 VFBGA (10 mm x 11,5 mm)
Einkanal: 168 WFBGA (12 mm x 12 mm)
Betriebstemperaturbereich:
-25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
-40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Dies ist ein 1-GB-DDR2-SDRAM mit geringer Leistungsaufnahme, organisiert als 8 M Wörter x 8 Bänke x 16 Bit.
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen