Infineon SDRAM DDR-Speicher 64 MB 8M x 8 Bit Oberfläche 8 Bits/Wort 8 bit 35 ns FBGA 24-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 201-7969
- Herst. Teile-Nr.:
- S27KS0643GABHV020
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 64MB | |
| Produkt Typ | SDRAM DDR-Speicher | |
| Organisation | 8M x 8 Bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 200MHz | |
| Zugriffszeit max. | 35ns | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Serie | S27KS0643 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 8mm | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 2V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 64MB | ||
Produkt Typ SDRAM DDR-Speicher | ||
Organisation 8M x 8 Bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Taktfrequenz max. 200MHz | ||
Zugriffszeit max. 35ns | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Pinanzahl 24 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Serie S27KS0643 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 8mm | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 2V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 ist ein 64-MB-HyperRAM, ein Hochgeschwindigkeits-CMOS, selbstaktualisernder DRAM, mit HyperBus-Schnittstelle. Das Array des DRAM verwendet dynamische Zellen, die eine regelmäßige Aktualisierung erfordern. Die Refresh-Steuerungslogik, die sich innerhalb des Geräts befindet, verwaltet die Refresh-Operationen auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom Master (Host) der HyperBus-Schnittstelle gelesen oder geschrieben wird. Das DRAM-Array erscheint dem Host, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Aktualisierung speichern, da der Host keine Aktualisierungsvorgänge verwalten muss. Daher wird dieser Speicher genauer aufgerufen oder kann als Pseudo Static RAM (PSRAM) beschrieben werden.
Temperaturbereich: –40 °C bis +85°C
Schnittstellenbandbreite (MBps): 400 Mbit/s.
RoHS-kompatibel
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