Infineon SDRAM DDR-Speicher 64 MB 8M x 8 Bit Oberfläche 8 Bits/Wort 8 bit 35 ns FBGA 24-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 201-7969
- Herst. Teile-Nr.:
- S27KS0643GABHV020
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SDRAM DDR-Speicher | |
| Speicher Größe | 64MB | |
| Organisation | 8M x 8 Bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 200MHz | |
| Zugriffszeit max. | 35ns | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | FBGA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Breite | 8 mm | |
| Länge | 8mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | S27KS0643 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SDRAM DDR-Speicher | ||
Speicher Größe 64MB | ||
Organisation 8M x 8 Bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Taktfrequenz max. 200MHz | ||
Zugriffszeit max. 35ns | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße FBGA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Pinanzahl 24 | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Breite 8 mm | ||
Länge 8mm | ||
Höhe 1mm | ||
Serie S27KS0643 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 2V | ||
Der Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 ist ein 64-MB-HyperRAM, ein Hochgeschwindigkeits-CMOS, selbstaktualisernder DRAM, mit HyperBus-Schnittstelle. Das Array des DRAM verwendet dynamische Zellen, die eine regelmäßige Aktualisierung erfordern. Die Refresh-Steuerungslogik, die sich innerhalb des Geräts befindet, verwaltet die Refresh-Operationen auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom Master (Host) der HyperBus-Schnittstelle gelesen oder geschrieben wird. Das DRAM-Array erscheint dem Host, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Aktualisierung speichern, da der Host keine Aktualisierungsvorgänge verwalten muss. Daher wird dieser Speicher genauer aufgerufen oder kann als Pseudo Static RAM (PSRAM) beschrieben werden.
Temperaturbereich: –40 °C bis +85°C
Schnittstellenbandbreite (MBps): 400 Mbit/s.
RoHS-kompatibel
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