- RS Best.-Nr.:
- 273-7512
- Herst. Teile-Nr.:
- S27KL0642DPBHI020
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Infineons DRAM ist ein selbstauffrischender Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit HYPERBUS-Schnittstelle. Das DRAM-Array verwendet dynamische Zellen, die in regelmäßigen Abständen aktualisiert werden müssen. Die Auffrischungssteuerungslogik innerhalb des Bausteins verwaltet die Auffrischungsvorgänge auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom HYPERBUS-Schnittstellenmaster gelesen oder beschrieben wird. Da der Host keine Auffrischungsvorgänge durchführen muss, erscheint das DRAM-Array für den Host so, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Auffrischung speichern. Daher wird der Speicher genauer als Pseudo Static RAM bezeichnet.
200 MHz maximale Taktrate
Datendurchsatz bis zu 400 MBps
Bidirektionales Lese-Schreib-Daten-Strobe
Automotive AEC Q100 Grade 2 und 3
Optionales DDR Center Aligned Read Strobe
DDR überträgt Daten auf beiden Flanken des Taktes
Datendurchsatz bis zu 400 MBps
Bidirektionales Lese-Schreib-Daten-Strobe
Automotive AEC Q100 Grade 2 und 3
Optionales DDR Center Aligned Read Strobe
DDR überträgt Daten auf beiden Flanken des Taktes
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 64MBit |
SDRAM-Klasse | DDR |
Datenumfang | 400Mbit/s |
Datenbus-Breite | 8bit |
Gehäusegröße | 24-Kugel FBGA |
Pinanzahl | 24 |
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