Alliance Memory SDRAM 512MBit 32 M x 16 DDR 200MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 230-8426
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C32M16SB-7TCN
- Marke:
- Alliance Memory
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Alliance Memory 512 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 512 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 8M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert
Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
8192 Aktualisierungszyklen/64 ms
CKE-Abschaltmodus
Einfaches Netzteil mit +3,3 V ±0,3 V.
8192 Aktualisierungszyklen/64 ms
CKE-Abschaltmodus
Einfaches Netzteil mit +3,3 V ±0,3 V.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 512MBit |
| Organisation | 32 M x 16 |
| SDRAM-Klasse | DDR |
| Datenumfang | 200MHz |
| Datenbus-Breite | 16bit |
| Adressbusbreite | 13bit |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 5.4ns |
| Anzahl der Wörter | 32 M |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | TSOP |
| Pinanzahl | 54 |
| Abmessungen | 22.35 x 10.29 x 1.2mm |
| Höhe | 1.2mm |
| Länge | 22.35mm |
| Breite | 10.29mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Betriebstemperatur min. | 0 °C |
| Betriebstemperatur max. | +70 °C |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V |
- RS Best.-Nr.:
- 230-8426
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C32M16SB-7TCN
- Marke:
- Alliance Memory
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