Alliance Memory SDRAM 128MBit 8 M x 16 DDR 166MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V

RS Best.-Nr.:: 230-8444P
Herst. Teile-Nr.:: AS4C8M16SA-7TCNTR
Marke:: Alliance Memory

Alliance Memory SDRAM 128MBit 8 M x 16 DDR 166MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V

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Stück	Pro Stück
50 - 98	2,605 €
100 - 248	2,335 €
250 - 498	2,33 €
500 +	2,245 €

RS Best.-Nr.:: 230-8444P
Herst. Teile-Nr.:: AS4C8M16SA-7TCNTR
Marke:: Alliance Memory

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Datasheet - AS4C8M16SA-7TCNTR

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Alliance Memory 128 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 128 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 2M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert

Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank Active-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.

Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
4096 Aktualisierungszyklen/64 ms
CKE-Abschaltmodus
Einfaches +3,3-V-D2,3-V-Netzteil
Schnittstelle: LVTTL

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	128MBit
Organisation	8 M x 16
SDRAM-Klasse	DDR
Datenumfang	166MHz
Datenbus-Breite	16bit
Adressbusbreite	121bit
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	5.4ns
Anzahl der Wörter	8 M
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	TSOP
Pinanzahl	54
Abmessungen	22.35 x 10.29 x 1.2mm
Höhe	1.2mm
Länge	22.35mm
Betriebstemperatur min.	0 °C
Arbeitsspannnung min.	3 V
Breite	10.29mm
Betriebstemperatur max.	+70 °C
Arbeitsspannnung max.	3,6 V