EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 μH 650mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 25MHz

RS Best.-Nr.:: 167-0301
Herst. Teile-Nr.:: B82432T1103K000
Marke:: EPCOS

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 μH 650mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 25MHz

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RS Best.-Nr.:: 167-0301
Herst. Teile-Nr.:: B82432T1103K000
Marke:: EPCOS

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Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: HU

Produktdetails

Epcos-Drahtinduktivitäten der Serie 1812 B82432T SIMID

Drahtinduktivitäten der Serie B82432T SIMID
Hohe Strombelastbarkeit, 70 bis 1300 mA
Nenninduktivität 1 bis 1000 μH
Temperaturbereich bis +150 °C
Anwendungsbereich: Filtern von Versorgungsspannungen, Kopplung, Entkopplung, DC/DC-Wandler, Kfz-Elektronik (z. B. einadrige Bus-Systeme), Telekommunikation und Industrieelektronik

SMD-Induktivitäten 1812 (Drosseln)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Induktivität	10 μH
Gleichstrom max.	650mA
Gehäuse-Form	1812 (4532M)
Länge	4.5mm
Tiefe	3.2mm
Automobilstandard	AEC-Q200
Höhe	3.2mm
Abmessungen	4.5 x 3.2 x 3.2mm
Geschirmt	Ja
Toleranz	±10%
Gleichstromwiderstand max.	350mΩ
Serie	SIMID
Kernmaterial	Ferrit
Resonanzfrequenz max.	25MHz
Qualitätsfaktor min.	10
Betriebstemperatur min.	-55°C
Formteil	Ja
Induktivitätsbauweise	Ferritkern
Betriebstemperatur max.	+150°C