EPCOS SIMID SMD Induktivität, 8,2 nH 650mA AEC-Q200 mit Keramik verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 6GHz

RS Best.-Nr.:: 167-8464
Herst. Teile-Nr.:: B82496C3829J000
Marke:: EPCOS

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 8,2 nH 650mA AEC-Q200 mit Keramik verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 6GHz

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RS Best.-Nr.:: 167-8464
Herst. Teile-Nr.:: B82496C3829J000
Marke:: EPCOS

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Induktivität	8,2 nH
Gleichstrom max.	650mA
Gehäuse-Form	0603 (1608M)
Länge	1.6mm
Tiefe	0.8mm
Automobilstandard	AEC-Q200
Höhe	0.8mm
Abmessungen	1.6 x 0.8 x 0.8mm
Toleranz	±5%
Gleichstromwiderstand max.	180mΩ
Serie	SIMID
Kernmaterial	Keramik verkupfert
Resonanzfrequenz max.	6GHz
Betriebstemperatur min.	-55°C
Betriebstemperatur max.	+150°C
Induktivitätsbauweise	Drahtgewickelt
Qualitätsfaktor min.	14

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 8,2 nH 650mA AEC-Q200 mit Keramik verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 6GHz

Epcos Kupferfolien-Keramik-Induktivitäten der Serie 0603 B82496C SIMID

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