EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 nH 200mA AEC-Q200 mit Keramik verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 8GHz

RS Best.-Nr.:: 167-8468
Herst. Teile-Nr.:: B82496C3101J000
Marke:: EPCOS

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 nH 200mA AEC-Q200 mit Keramik verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 8GHz

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RS Best.-Nr.:: 167-8468
Herst. Teile-Nr.:: B82496C3101J000
Marke:: EPCOS

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Induktivität	100 nH
Gleichstrom max.	200mA
Gehäuse-Form	0603 (1608M)
Länge	1.6mm
Tiefe	0.8mm
Automobilstandard	AEC-Q200
Höhe	0.8mm
Abmessungen	1.6 x 0.8 x 0.8mm
Toleranz	±5%
Gleichstromwiderstand max.	1.8Ω
Serie	SIMID
Kernmaterial	Keramik verkupfert
Resonanzfrequenz max.	1.8GHz
Induktivitätsbauweise	Drahtgewickelt
Betriebstemperatur max.	+150°C
Qualitätsfaktor min.	14
Betriebstemperatur min.	-55°C

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 nH 200mA AEC-Q200 mit Keramik verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 8GHz

Epcos Kupferfolien-Keramik-Induktivitäten der Serie 0603 B82496C SIMID

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