EPCOS SIMID SMD Induktivität, 3,3 μH 200mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 110MHz

RS Best.-Nr.:: 170-2835
Herst. Teile-Nr.:: B82422A1332K100
Marke:: EPCOS

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 3,3 μH 200mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 110MHz

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RS Best.-Nr.:: 170-2835
Herst. Teile-Nr.:: B82422A1332K100
Marke:: EPCOS

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Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: DE

Produktdetails

Epcos-Drahtinduktivitäten der Serie 1210 B82422A SIMID

Hoher Q-Faktor
Hohe Resonanzfrequenz
Geeignet für Aufsschmelzlöten (Infrarot und Dampfphase) sowie Schwalllöten

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Induktivität	3,3 μH
Gleichstrom max.	200mA
Gehäuse-Form	1210 (3225M)
Länge	3.2mm
Automobilstandard	AEC-Q200
Tiefe	2.5mm
Höhe	2mm
Abmessungen	3.2 x 2.5 x 2mm
Toleranz	±10%
Gleichstromwiderstand max.	1.2Ω
Serie	SIMID
Kernmaterial	Ferrit
Resonanzfrequenz max.	110MHz
Qualitätsfaktor min.	27
Betriebstemperatur min.	-55°C
Betriebstemperatur max.	+125°C
Formteil	Ja
Induktivitätsbauweise	Ferritkern