Alliance Memory 256kbit LowPower SRAM 32k, 8bit / Wort 15bit, 2,7 V bis 5,5 V, SOP 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 538-142
- Herst. Teile-Nr.:
- AS6C62256-55SIN
- Marke:
- Alliance Memory
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|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,965 € | 5,93 € |
| 10 - 38 | 2,39 € | 4,78 € |
| 40 - 98 | 2,29 € | 4,58 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 538-142
- Herst. Teile-Nr.:
- AS6C62256-55SIN
- Marke:
- Alliance Memory
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 256kbit | |
| Organisation | 32 K x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 55ns | |
| Adressbusbreite | 15bit | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Abmessungen | 18.49 x 8.64 x 2.49mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Höhe | 2.49mm | |
| Breite | 8.64mm | |
| Länge | 18.49mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 256kbit | ||
Organisation 32 K x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 55ns | ||
Adressbusbreite 15bit | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Pinanzahl 28 | ||
Abmessungen 18.49 x 8.64 x 2.49mm | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Höhe 2.49mm | ||
Breite 8.64mm | ||
Länge 18.49mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
- Ursprungsland:
- TW
Statischer RAM Alliance Memory
Der AS6C1008 ist gut für Systemanwendungen mit sehr niedrigem Stromverbrauch ausgelegt und besonders gut für die Batterie-pufferung von nicht flüchtigen Speicheranwendungen geeignet. Der AS6C62256 ist ein statischer 262.144-Bit-CMOS-Random Access Memory mit geringer Leistungsaufnahme, der als 32.768 Wörter und 8 Bit organisiert ist. Der AS6C62256 arbeitet mit einem Netzteil mit großem Bereich von 2,7 ∼ 5,5 V. Gehäuse: 28-polig 600 mil PDIP
SRAM (Static Random Access Memory)
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