Alliance Memory 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort 19 bit, TSOP 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 538-164
- Herst. Teile-Nr.:
- AS6C4008-55TIN
- Marke:
- Alliance Memory
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- AS6C4008-55TIN
- Marke:
- Alliance Memory
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Organisation | 512 k x 8 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 55ns | |
| Adressbusbreite | 19bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 8mm | |
| Serie | AS6C4008 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 18.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 30mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Organisation 512 k x 8 Bit | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 55ns | ||
Adressbusbreite 19bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 32 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 8mm | ||
Serie AS6C4008 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 18.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 30mA | ||
- Ursprungsland:
- TW
Statischer RAM Alliance Memory
Der AS6C1008 ist gut für Systemanwendungen mit sehr niedrigem Stromverbrauch ausgelegt und besonders gut für die Batterie-pufferung von nicht flüchtigen Speicheranwendungen geeignet. Der AS6C62256 ist ein statischer 262.144-Bit-CMOS-Random Access Memory mit geringer Leistungsaufnahme, der als 32.768 Wörter und 8 Bit organisiert ist. Der AS6C62256 arbeitet mit einem Netzteil mit großem Bereich von 2,7 ∼ 5,5 V. Gehäuse: 28-polig 600 mil PDIP
SRAM (Static Random Access Memory)
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