Cypress Semiconductor 1 MB SRAM 128k, 8 / Wort 8 bit, TSOP 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-7440
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62128EV30LL-45ZXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
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- Herst. Teile-Nr.:
- CY62128EV30LL-45ZXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Länge | 18.3mm | |
| Breite | 8.2mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 32 | ||
Länge 18.3mm | ||
Breite 8.2mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen
SRAM von Infineon, 1 MB Speichergröße, 45 ns maximale zufällige Zugriffszeit – CY62128EV30LL-45ZXI
Dieser SRAM ist ein statisches Speichergerät, das für die schnelle Datenspeicherung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Es arbeitet innerhalb industrieller Temperaturgrenzen und unterstützt Systeme, die eine nichtflüchtige Datenpufferung mit niedriger Zugriffslatenz und Standard-Versorgungsspannung erfordern. Das Gehäuse eignet sich für kompakte Schaltungsdesigns, bei denen Platz auf der Leiterplatte und die Zuverlässigkeit der Montage wichtig sind.
Merkmale und Vorteile:
• Geringe Lese-/Schreiblatenz von 45 ns ermöglicht schnelle Datenübertragungen
• Betrieb mit 3,6 V Versorgung für Kompatibilität mit gängigen Logikschienen
• Organisiert als 128Kx8-Bit mit 128k adressierbaren Wörtern
• Das oberflächenmontierbare 32-polige TSOP-Gehäuse vereinfacht die Leiterplattenmontage
• Breiter Betriebsbereich von -40 bis 85 °C für industrielle Umgebungen
• Betrieb mit 3,6 V Versorgung für Kompatibilität mit gängigen Logikschienen
• Organisiert als 128Kx8-Bit mit 128k adressierbaren Wörtern
• Das oberflächenmontierbare 32-polige TSOP-Gehäuse vereinfacht die Leiterplattenmontage
• Breiter Betriebsbereich von -40 bis 85 °C für industrielle Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung in Steuerungssystemen
• Ideal für die temporäre Aufbewahrung in industriellen Automatisierungsgeräten
• Wird mit Mikrocontrollern verwendet, die einen parallelen 8-Bit-Speicher erfordern
• Kann für Firmware-Shadowing in eingebetteten Plattformen verwendet werden
• Geeignet für Upgrades, bei denen ein SRAM mit geringer Latenz erforderlich ist
• Ideal für die temporäre Aufbewahrung in industriellen Automatisierungsgeräten
• Wird mit Mikrocontrollern verwendet, die einen parallelen 8-Bit-Speicher erfordern
• Kann für Firmware-Shadowing in eingebetteten Plattformen verwendet werden
• Geeignet für Upgrades, bei denen ein SRAM mit geringer Latenz erforderlich ist
Wie viele Bits werden während des Betriebs gleichzeitig aufgerufen?
Jeder Speicherzugriff überträgt acht Bits parallel gemäß der 8-Bit-Organisation.
Welchen Formfaktor sollte die Leiterplatte für die Montage vorbereitet werden?
Entwickeln Sie eine Grundfläche für ein 32-poliges TSOP-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das der Anzahl der Pins des Geräts entspricht.
Welche Umgebungsbedingungen verträgt das Gerät zuverlässig?
Er funktioniert in einem Temperaturbereich von -40 bis 85 °C für den industriellen Einsatz.
Wie wird die Speicherkapazität für die Systemplanung ausgedrückt?
Die Kapazität ist insgesamt 1 MB, angeordnet als 128.000 Wörter mit je 8 Bit.
Verwandte Links
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- Infineon 1 MB SRAM 128k TSOP 32-Pin
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