Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort 8bit, TSOP 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-7573
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62128EV30LL-45ZXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*
4,14 €
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4,928 €
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 4 + | 1,035 € | 4,14 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 181-7573
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62128EV30LL-45ZXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128.000 x 8 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Adressbusbreite | 8bit | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Abmessungen | 18.3 x 8.2 x 1.05mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Länge | 18.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,2 V | |
| Breite | 8.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128.000 x 8 Bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Adressbusbreite 8bit | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 32 | ||
Abmessungen 18.3 x 8.2 x 1.05mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Länge 18.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,2 V | ||
Breite 8.2mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Temperaturbereiche:
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V
PIN kompatibel mit CY62128DV30
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 4 μA
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 32-poligen SOIC-Gehäusen (Small Outline Integrated Circuit), 32-poligen TSOP-Gehäusen (Thin Small Outline Package) Typ I und 32-poligen Sforised Thin Small Outline Package (STSOP)-Gehäusen
Temperaturbereiche:
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V
PIN kompatibel mit CY62128DV30
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 4 μA
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 32-poligen SOIC-Gehäusen (Small Outline Integrated Circuit), 32-poligen TSOP-Gehäusen (Thin Small Outline Package) Typ I und 32-poligen Sforised Thin Small Outline Package (STSOP)-Gehäusen
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