Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort 8bit, TSOP 32-Pin

Dieser SRAM ist ein statisches Speichergerät, das für die schnelle Datenspeicherung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Es arbeitet innerhalb industrieller Temperaturgrenzen und unterstützt Systeme, die eine nichtflüchtige Datenpufferung mit niedriger Zugriffslatenz und Standard-Versorgungsspannung erfordern. Das Gehäuse eignet sich für kompakte Schaltungsdesigns, bei denen Platz auf der Leiterplatte und die Zuverlässigkeit der Montage wichtig sind.

• Geringe Lese-/Schreiblatenz von 45 ns ermöglicht schnelle Datenübertragungen
• Betrieb mit 3,6 V Versorgung für Kompatibilität mit gängigen Logikschienen
• Organisiert als 128Kx8-Bit mit 128k adressierbaren Wörtern
• Das oberflächenmontierbare 32-polige TSOP-Gehäuse vereinfacht die Leiterplattenmontage
• Breiter Betriebsbereich von -40 bis 85 °C für industrielle Umgebungen

• Geeignet für Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung in Steuerungssystemen
• Ideal für die temporäre Aufbewahrung in industriellen Automatisierungsgeräten
• Wird mit Mikrocontrollern verwendet, die einen parallelen 8-Bit-Speicher erfordern
• Kann für Firmware-Shadowing in eingebetteten Plattformen verwendet werden
• Geeignet für Upgrades, bei denen ein SRAM mit geringer Latenz erforderlich ist

Jeder Speicherzugriff überträgt acht Bits parallel gemäß der 8-Bit-Organisation.

Entwickeln Sie eine Grundfläche für ein 32-poliges TSOP-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das der Anzahl der Pins des Geräts entspricht.

Er funktioniert in einem Temperaturbereich von -40 bis 85 °C für den industriellen Einsatz.

Die Kapazität ist insgesamt 1 MB, angeordnet als 128.000 Wörter mit je 8 Bit.