Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, SOJ 32-Pin

Eine einfache Speichererweiterung wird durch eine aktive LOW Chip Enable (CE), eine aktive LOW Output Enable (OE) und dreiteilige Treiber bereitgestellt. Dieses Gerät verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch bei Abwahl deutlich reduziert. Das Schreiben auf das Gerät erfolgt durch die Eingabe von Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht E/A-Stiften (E/A0 bis E/A7) werden dann in die auf den Adressstiften angegebene Position geschrieben (A0 bis A16). Das Lesen vom Gerät erfolgt durch die Übernahme von Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW bei gleichzeitiger Erzwingen von Write Enable (WE) HIGH. Unter diesen Bedingungen wird der Inhalt des durch die Adressstifte angegebenen Speicherplatzes auf den E/A-Stiften angezeigt. Die acht Eingangs-/Ausgangsstifte (E/A0 bis E/A7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn das Gerät abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert sind (OE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE NIEDRIG und WE LOW). Die CY7C1018DV33/CY7C1019DV33 sind in bleifreien 32-poligen 400-mil-breiten geformten SOJ, 32-poligen TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäusen erhältlich.