Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, SOJ 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 193-8465
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1021DV33-10VXIT
- Marke:
- Infineon
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
3,248 €
(ohne MwSt.)
3,865 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 5 - 20 | 3,248 € | 16,24 € |
| 25 - 45 | 2,87 € | 14,35 € |
| 50 - 95 | 2,816 € | 14,08 € |
| 100 - 245 | 2,558 € | 12,79 € |
| 250 + | 2,48 € | 12,40 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 193-8465
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1021DV33-10VXIT
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Temperaturbereiche
Industrie: -40 °C bis 85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis 85 °C.
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 60 mA @ 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Unabhängige Steuerung der oberen und unteren Bits
Erhältlich in Pb-freien 44-poligen 400-mil-weit geformten SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäusen
Industrie: -40 °C bis 85 °C.
KFZ-A: -40 °C bis 85 °C.
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 60 mA @ 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data Ret
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
Unabhängige Steuerung der oberen und unteren Bits
Erhältlich in Pb-freien 44-poligen 400-mil-weit geformten SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäusen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 1MBit |
| Organisation | 64 k x 16 Bit |
| Anzahl der Wörter | 64k |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 10ns |
| Adressbusbreite | 16bit |
| Taktfrequenz | 1MHz |
| Timing Typ | Asymmetrisch |
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | SOJ |
| Pinanzahl | 44 |
| Abmessungen | 1.12 x 0.395 x 0.095Zoll |
| Höhe | 2.41mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Länge | 28.45mm |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Arbeitsspannnung min. | 3 V |
| Breite | 10.03mm |
- RS Best.-Nr.:
- 193-8465
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1021DV33-10VXIT
- Marke:
- Infineon
Verwandte Produkte
- Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 100MHz SOJ 32-Pin
- Cypress Semiconductor 256kbit SRAM-Speicherbaustein 32k 1MHz SOJ 85-Pin
- Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k 1MHz SOJ 32-Pin
- ISSI 1MBit LowPower SRAM 64k 45 V, SOJ 44-Pin
- ISSI 1MBit SRAM 64k SOJ 44-Pin
- Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k TSOP 44-Pin
- Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k 1MHz SOJ 85-Pin
- Infineon 1MBit SRAM 64k, 16bit / Wort