Infineon 4MBit SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, SOJ 36-Pin

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RS Best.-Nr.:
193-8466
Herst. Teile-Nr.:
CY7C1049G30-10VXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

4MBit

Organisation

512 k x 8 Bit

Anzahl der Wörter

512k

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

10ns

Adressbusbreite

8bit

Taktfrequenz

100MHz

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

THT

Gehäusegröße

SOJ

Pinanzahl

36

Abmessungen

0.92 x 0.395 x 0.103Zoll

Höhe

2.62mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Breite

10.03mm

Länge

23.37mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Arbeitsspannnung min.

2,2 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

CY7C1049G und CY7C1049GE sind Hochleistungs-CMOS-schnelle statische RAM-Geräte mit integriertem ECC. Beide Geräte werden in Einfach- und Zweifach-Chip-Aktivierungsoptionen und in mehreren Pinkonfigurationen angeboten. Das Gerät CY7C1049GE verfügt über einen ERR-Stift, der während eines Lesezyklus ein Fehlererkennungs- und Korrekturereignis signalisiert. Schreibvorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, und stellt die Daten gleichzeitig über E/A-0 bis E/A-7 sowie die Adresse über die Pole A-0 bis A-18 zur Verfügung. Lesevorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, unter Angabe der erforderlichen Adresse und der Adresszeilen. Daten werden über die E/A-Leitungen ausgelesen (E/A-0 bis E/A-7).

Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2]
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V
1,0-V-Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an
Bleifreie, 36-polige SOJ-Gehäuse sowie 44-polige TSOP-II-Gehäuse

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